位于美国加州的创业公司Crossbar今天发布了一种新型的芯片，能以邮票大小的体积存储1TB的数据。这种芯片采用RRAM技术（可变电阻式记忆体，Resistive Random Access Memory），可颠覆传统的闪速存储器，数据存储速度是其20倍，很有可能成为每年600亿美元闪存市场的有力竞争者。

由于闪存是从iPhone到平板电脑到数码相机都必备的硬件之一，因此Crossbar的前景被投资者看好，获得了来自Kleiner Perkins Caufield & Byers，Artiman Ventures和Northern Light Venture Capital的2500万投资。

和闪存一样，RRAM也是一种非易失性的存储器，这意味着数据可以永久储存不丢失，哪怕是在电源被切断的情况下。而Crossbar在其设计中采用了三层结构的设计——一个非金属底层电极，中间的无定形硅交换介质，还有最上层的金属电极。当电压施加至两电极时，它交换介质内会形成一定数量的电阻细丝，因此其电阻式可变换的。

通过Crossbar的芯片，未来手机和平板的存储速度、备份、归档等各方面性能都将有所提升。而从企业角度出发，供应商可以在数据中心中搭建SSD和云计算设备。RRAM还可运用于物联网中，甚至智能电表、恒温器这样的智能设备，以及诸如Google Glass等可穿戴式设备，因为它的电耗更低，可以延长电池使用寿命。

目前Crossbar团队有20位成员，正准备自己制造芯片并向市场出售，同时也打算向system-on-a-chip的供应商提供技术支持，在同个芯片中将RRAM和其它组件联系到一起。Crossbar申请了100项相关专利，其中30项已被批获。

IHS的高级分析师Michael Yang说：

我们今天所存储的90%的数据都是近两年产生的。实时的数据生成和接收越来越成为现代生活的一部分，并且在未来几年还会快速增长。然而，我们过去一直沿用至今的存储方式，比如二维的NAND（一种存储技术），在物理和工程方面都显露出巨大的局限性。而Crossbar的RRAM恰好迈过了这道门槛，因此很有可能成为未来取代性的存储技术解决方案。